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化學氣相沉積MOCVD

簡要描述:vMOCVD設備是通過將反應物質以有機金屬化合物氣體分子的形式

基礎信息

產品型號

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更新時間

2024-10-22

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詳細介紹

v MOCVD設備是通過將反應物質以有機金屬化合物氣體分子的形式,經載帶氣體送到反應室,進行熱分解反應而生長出薄膜材料

v 應用方向:Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等等

v 從研發到大規模生產

v 襯底尺寸:3x2 inch1x4 inch1x3 inch1x2 inch

通過載波交換實現:6 x 2 inch3 x 3 inch1 x 6 inch

v Ga2O3薄膜生長速率:>3um/h

v Ga2O3薄膜表面粗糙度:5umx5um范圍由AFMGa2O3襯底上測量 ≤1.0 nm

v 加熱系統:采用鎢絲加熱,三溫區控制,溫度至1400

v 反應腔室內托盤與噴淋頭間距可調(范圍覆蓋5 mm25 mm

v 工藝過程中,具有實時晶圓表面溫度和晶圓翹曲度監測功能

v 搭載溫度監測系統,可實時掃描晶圓溫度mapping

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